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光刻膠與光刻工藝技術
微電路的制造需要把在數量上精確控制的雜質引入到硅襯底上的微小
區域內,然后把這些區域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區域圖形
的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉涂覆光刻膠,再將
其曝露于某種光源下,如紫外光,電子束或X-射線,對抗蝕層進行選擇性的
曝光.完成這項工作需利用光刻機,掩模版,甚至電子束光刻時的數據帶.
曝光后的硅片經過顯影工藝就形成了抗蝕劑圖形.顯影后仍保留在硅片上的
抗蝕劑保護著其所覆蓋的區域,已去除抗蝕劑的部分必須進行一系列增加(如
淀積金屬膜)或去除(如腐蝕)工藝,以將抗蝕圖形轉印到襯底表面.
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