電子發燒友網>電源/新能源>功率器件> > 正文

【技術大咖測試筆記系列】之八:低功率范圍內的MOSFET表征

2021年10月20日 10:59 ? 次閱讀

作者泰克科技技術大咖 Andrea Vinci

半導體行業一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀,以進一步、再進一步縮小器件尺寸。例如,2D材料的橫向和縱向異質結構導致了新的顛覆性小型低功率電子器件的產生。

在為半導體器件電氣特點編制準確的報告時,比如特殊的NANO-FETs,業內的科研人員、科學家和工程師都面臨著一個共同的問題。當需要證明能夠實際上以簡便的、可重復的方式控制這些參數時,這個問題會變得更糟。

poYBAGFviu6AYhAgAAJj3oLW73g757.png

從觸摸屏顯示器控制的4200A電氣參數表征系統

電流范圍內電氣表征的典型問題是:必需確定低功率/低漏流MOSFET在不同條件下可實現的器件性能。

測量至關重要,因為它們識別具體指標(FoM),而這些指標會證實或否認特定應用內的有效行為。例如,n型FETs要求評估不同源極、漏極和柵極電壓值上的打開和關閉漏極電流。FoMs可能會在不同應用間變化,但獲得指標的方式基本相同:提供精確受控的以一定方式變化的電壓或電流,同時準確地獲得電壓和電流測量,并與每個具體可變變量相關聯。

在實踐中,通過使用一定數量的源測量單元(SMUs),也就是能夠在測量電流和電壓的同時提供電流或電壓的專門儀器,可以解決這個問題。但實用的解決方案看上去準備妥當時,許多隱藏的“細節”可能會導致問題和誤導性結果,我們來看一下。

這些應該自問的關鍵問題

越來越常見的是,工程師會落入忘了從整體上仔細查看測試系統的陷阱。或者更好一點,他們清楚地看到自己的器件,他們清楚地看到自己的儀器,但看不到兩者之間的東西。例如,我經常看到示波器用戶忘了使用探頭到達特定測試點,來測量電路板。對那些被提醒考慮探頭對信號影響的工程師,他們一般仍會忘記探頭引線對測量的影響,以及與信號耦合有關的問題。

“那么,這真有關系嗎?”他們會問。遺憾的是,確實有關系,我們必需考慮這些影響。

對DC表征應用,風險是類似的。即使我們使用復雜昂貴的探測站系統器件來完成物理探,SMUs仍須強制施加電壓、測量電流,通過電纜連接到探頭卡上。這是否意味著我們應該認為電纜可能影響我們的測量結果呢?

不管答案是什么,重要的是在繼續處理前你都要自己問一下這個問題。更重要的是,要確保回答是正確的。

CMOS制造中的精密測量,是說明連接能力重要性的典型實例。事實上,連接能力意味著在測試系統中增加電容。由于當今MOSFETs是在較寬的擴展頻率范圍內表征的,因此必須認真考慮增加的電容導致的任何影響。

我們先看一下連接對電容的影響。參數(自動化)測試設備一般使用三同軸電纜連接,這是源測量測試單元與被測器件之間非常典型的低噪聲連接實例。三同軸電纜是一種特殊的同軸電纜,它通過一個額外的外部銅纜法拉第屏蔽層來絕緣傳導信號的部分。即使法拉第屏蔽層降低了電纜的分布式電容,但在電纜總長變得有意義時,電纜增加的電容仍會影響測量。

我們看一個實際應用,比如測試系統必須表征n-MOSFET晶體管。在這個應用中,我們使用基于SMU的測試系統,追蹤所謂的I-V曲線,這有時也稱為“輸出特點” 或“傳遞特點”。我們把柵極電壓編程為前向和后向掃描(如前所述,使用SMU),同時測量漏極電流(也使用SMU)。

通過這些曲線,我們可以采集有用的數據,精確建立晶體管傳導力激活和去激活模型,分析這些特征什么時候體現線性度或進入飽和行為,確定自熱效應對這些參數和曲線可能會產生多大的位移。

當表征需要建立載流子、電子或孔眼(在狀態之間跳動,根據多種條件修改其遷移性)的行為模型時,測量系統會以四線(或遠程傳感)配置連接DUT,并使用三同軸電纜。

看一下四線配置的三同軸電纜連接,總長度對應Force Hi和Sense Hi電纜長度之和。根據三同軸電纜的電容/米(pF/m)指標,我們可以計算出,用兩條三同軸電纜把SMU連接到器件端子上,長度為20米(10米+ 10米),保護電容約為2 nF,屏蔽電容約為6 nF。

在這些情況下,SMU的靈敏度在測量弱電(一般在納安級)的傳遞特點時沒有意義,因為電容電纜負載會導致振蕩。SMU不僅要有靈敏度,還必須能夠保持電纜負載導致的有效電容,或者把SMU連接到DUT的任何引線的負載。

否則,靈敏度就沒有用,SMU只會產生有噪聲的振蕩讀數。

pYYBAGFvivuAAwJnAADl8h5MlAE484.png

使用兩個SMU與使用兩個4211-SMU通過開關矩陣測得的FET的Id-Vd曲線對比。

能夠確定測試電容是否影響測量正變得越來越關鍵。在這些情況下,吉時利應用工程師可以提供寶貴的咨詢服務,確保客戶避免陷阱。在設置中有長連接電纜時,或者在測量系統和DUT之間有開關矩陣時,或者DUT或卡盤要求進行納安級測量時,最好復核設置,尋求顧問和建議。

為關鍵量程提供的最新解決方案

面對這些極具挑戰性的特殊情況,必需在測量中使用特定的SMUs模塊。吉時利推出了一種專用版SMU,可以用于類似4200A-SCS參數分析儀的參數分析系統中。

poYBAGFviwWAaQ_1AAKBtYh4V9U326.png

SMUs特別適合連接LCD測試站、探頭、開關矩陣或任何其他大型測試儀或復雜的測試儀。

4201-SMU中等功率SMU和4211-SMU高功率SMU(選配4200-PA前置放大器)支持穩定的弱電測量,即使是在長線纜連接導致較高的測試連接電容時。

事實上,這些模塊可以供電并測量容性超過當今1,000倍的系統。例如,如果電流電平為1 ~ 100 pA (微微安),那么最新的吉時利模塊會穩定在1 μF (微法拉)的負載電容上。相比之下,最大負載電容競品在測量穩定性劣化前只能容忍1,000 pF (微微法拉),換句話說,比吉時利模塊差1,000倍。

poYBAGFvixKAeBGDAAKyfR2XRt4958.png

高阻抗應用C-V測量

總結

持續改進測量技術必不可少,以優化半導體材料,在集成晶體管中實現低接觸電阻、專門的形狀和獨特的結構。GaN晶體管在未來功率電子中的成功,與鑄造工藝中采用的納米結構緊密相關。一方面,柵極寬度結構中的電容較低,所以要考慮任何其他有意義的電容影響,比如電纜和連接產生的電容。另一方面,通過改善SMU耐受高電容的能力,提供更高的測量穩定性,它們也克服了這些問題。

下載發燒友APP

打造屬于您的人脈電子圈

關注電子發燒友微信

有趣有料的資訊及技術干貨

關注發燒友課堂

鎖定最新課程活動及技術直播

電子發燒友觀察

一線報道 · 深度觀察 · 最新資訊
收藏 人收藏
分享:

評論

相關推薦

主流半橋驅動芯片如何發展:先增效再降本

電子發燒友網報道(文/李寧遠)在直流電機中,單片機提供的電壓電流一般不足以驅動直流電機,只能作為驅動....
發表于 2021-10-30 11:34? 747次閱讀
主流半橋驅動芯片如何發展:先增效再降本

開關電源資料匯總

隨著開關電源在計算機、通信、航空航天、儀器儀表及家用電器等方面的廣泛應用, 人們對其需求量日益增長, 并且對電源的...
發表于 2021-10-29 09:11? 0次閱讀
開關電源資料匯總

MOSFET與晶體管或IGBT相比有何優點

1.MOSFET的速度比晶體管或IGBT快。2.MOSFET的過電流適中;晶體管是一個流控流型的,要使集電極上的電...
發表于 2021-10-29 08:28? 0次閱讀
MOSFET與晶體管或IGBT相比有何優點

HT7A6312芯片有何特性

1. 芯片特性a. 固定60KHz開關頻率;b. 寬Vcc輸出電壓范圍:9V - 38V;c. 寬交流輸入電壓范圍:85Vac - 265Vac;...
發表于 2021-10-29 08:20? 0次閱讀
HT7A6312芯片有何特性

對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結

在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導通電阻,最大電壓等,最大電流等,也...
發表于 2021-10-28 10:06? 0次閱讀
對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結

思睿達TT6267SK測試報告 良好EMI特性 ...

1、樣機介紹 該測試報告是基于一個能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率18W,恒壓輸出的工程樣機,控制I....
發表于 2021-10-28 08:50? 1394次閱讀
思睿達TT6267SK測試報告 良好EMI特性 ...

探討MOSFET用于開關電源的驅動電路

MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFE...
發表于 2021-10-28 06:56? 0次閱讀
探討MOSFET用于開關電源的驅動電路

開關電源的組成部分及特點

開關電源  開關電源是利用現代電力電子技術,控制開關管開通和關斷的時間比率,維持穩定輸出電壓的一種電源,開關電...
發表于 2021-10-28 06:54? 0次閱讀
開關電源的組成部分及特點

利用氮化鎵芯片組實現高效率、超緊湊的反激式電源

在傳統的有源鉗位設計中,初級MOSFET和有源鉗位開關以互補方式進行工作(因此這些鉗位電路被稱為“互....
發表于 2021-10-27 14:10? 188次閱讀
利用氮化鎵芯片組實現高效率、超緊湊的反激式電源

意法半導體新MDmesh? K6 800V ST...

STPOWER MDmesh K6 新系列超級結晶體管改進多個關鍵參數,最大限度減少系統功率損耗,特....
發表于 2021-10-26 11:53? 274次閱讀
意法半導體新MDmesh? K6 800V ST...

東芝針對汽車應用推出三款100V N溝道功率MO...

一個人的工作能力是指他承擔某項工作、執行某項業務、任務的能力。具體表現有兩方面,一是他的專業知識水平....
發表于 2021-10-25 14:16? 353次閱讀
東芝針對汽車應用推出三款100V N溝道功率MO...

揭秘美浦森將展示儲能市場新技術和產品

電子發燒友網報道(文/程文智)慕尼黑華南電子展即將在10月28日至30日在深圳國際會展中心寶安新館舉....
發表于 2021-10-25 11:01? 300次閱讀
揭秘美浦森將展示儲能市場新技術和產品

如何將CoolMOS應用于連續導通模式的圖騰柱功...

為了實現在圖騰柱PFC使用常見的開關器件,本文介紹預充電電路的解決方案。 相較采用寬禁帶半導體,此方....
發表于 2021-10-22 17:54? 1038次閱讀
如何將CoolMOS應用于連續導通模式的圖騰柱功...

國產MOSFET器件競爭力如何

電子發燒友網報道(文/李寧遠)前兩期中,我們分別從歐美和日系兩大陣營解析了MOSFET主流玩家的主要....
發表于 2021-10-22 17:15? 479次閱讀
國產MOSFET器件競爭力如何

從制造到封裝 精益求精的日系MOSFET的市場格...

電子發燒友網報道(文/李寧遠)MOSFET將輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化,起到開關或放大等作用....
發表于 2021-10-21 15:52? 337次閱讀
從制造到封裝 精益求精的日系MOSFET的市場格...

穩中求進實力強橫的歐美系MOSFET有哪些

電子發燒友網報道(文/李寧遠)時至今日,大至功率變換器,小至內存、CPU等各類電子設備核心元件,無不....
發表于 2021-10-21 15:30? 268次閱讀
穩中求進實力強橫的歐美系MOSFET有哪些

應對一致性測試特定挑戰,需要可靠的PCIe 5....

PCIe (PCI Express) 擴展總線現在正遷移到最新標準化的 PCIe 5.0,也稱為 P....
發表于 2021-10-18 14:22? 1987次閱讀
應對一致性測試特定挑戰,需要可靠的PCIe 5....

MOSFET系列(二):從制造到封裝,精益求精的...

上一期中提到,MOSFET的市場格局以歐美系和日系為主流,歐美系英飛凌與安森美穩坐頭兩把交椅,日系瑞....
發表于 2021-10-18 08:00? 1763次閱讀
MOSFET系列(二):從制造到封裝,精益求精的...

依托本土市場奮起直追的國產MOSFET

前兩期中,我們分別從歐美和日系兩大陣營解析了MOSFET主流玩家的主要產品。無論是一直以來以強橫實力....
發表于 2021-10-18 07:28? 1309次閱讀
依托本土市場奮起直追的國產MOSFET

MOSFET系列(一):穩中求進實力強橫的歐美系...

MOSFET的市場格局與IGBT格局類似,以歐美系和日系為主流,歐美系英飛凌與安森美穩坐頭兩把交椅,....
發表于 2021-10-14 08:00? 929次閱讀
MOSFET系列(一):穩中求進實力強橫的歐美系...

TLE985X解決方案怎么樣?有什么優點嗎?

TLE985X解決方案怎么樣?有什么優點嗎?
發表于 2021-10-13 08:19? 0次閱讀
TLE985X解決方案怎么樣?有什么優點嗎?

元器件持續短缺 出貨量不達預期 全球Q4筆電供需...

電子發燒友網報道(文/莫婷婷)隨著疫情的好轉,今年國慶旅游出行人次已恢復到疫情前同期的70%,但筆記....
發表于 2021-10-12 16:18? 537次閱讀
元器件持續短缺 出貨量不達預期 全球Q4筆電供需...

在模擬版圖設計中堆疊MOSFET

  在28nm以下,由于最大器件長度限制,模擬設計人員經常要對多個短長度的MOSFET串聯來創建長溝道的器件。這些...
發表于 2021-10-12 16:11? 0次閱讀
在模擬版圖設計中堆疊MOSFET

從工業到汽車,東芝在功率器件市場的布局

電子發燒友網報道(文/程文智)近幾年來,新能源汽車發展迅猛,與之配套的汽車功率器件也發展迅速,不少廠....
發表于 2021-10-12 15:41? 1021次閱讀
從工業到汽車,東芝在功率器件市場的布局

如何實現高壓MOSFET控制器簡化非隔離開關的設計?

如何實現高壓MOSFET控制器簡化非隔離開關的設計?...
發表于 2021-10-12 11:44? 0次閱讀
如何實現高壓MOSFET控制器簡化非隔離開關的設計?

盤點國外那些IGBT標桿產品

電子發燒友網報道(文/李寧遠)IGBT作為新型功率半導體器件的主流器件,已經廣泛應用于工業、通信、計....
發表于 2021-10-12 10:18? 632次閱讀
盤點國外那些IGBT標桿產品

開關頻率設計講解和擴展

還記得上期【電源小課堂】內容嗎?點擊復習一下吧: 頻率是開關電源的一個基本屬性,熟悉和掌握開關頻率,....
發表于 2021-10-12 10:12? 425次閱讀
開關頻率設計講解和擴展

首款國產1700V SiC MOSFET獲“低碳...

工業三相供電(400 VAC to 690VAC)的功率變換系統,其母線電壓通常高于600V,母線電....
發表于 2021-10-11 17:26? 471次閱讀
首款國產1700V SiC MOSFET獲“低碳...

e絡盟供貨安世半導體SiGe整流器

安世半導體硅鍺 (SiGe) 整流器效率高、熱穩定性好,且外型精巧,是工程師進行新品設計的不二之選。
發表于 2021-10-11 14:22? 592次閱讀
e絡盟供貨安世半導體SiGe整流器

設計筆記 一種用于測量極低電阻的簡單比率技術

極低值電阻器(即,毫歐 (mΩ) 及以下)的最常見應用可能是電流控制電路,它們的低值可降低功率損耗。....
發表于 2021-10-11 11:03? 1237次閱讀
設計筆記 一種用于測量極低電阻的簡單比率技術

從工業到汽車,東芝在功率器件市場的布局

近幾年來,新能源汽車發展迅猛,與之配套的汽車功率器件也發展迅速,不少廠商開始針對汽車應用開發新的產品....
發表于 2021-10-11 09:32? 1733次閱讀
從工業到汽車,東芝在功率器件市場的布局

這個mos加了rds怎么考慮

求解,想過用電流源等效發現有問題
發表于 2021-10-08 14:37? 540次閱讀
這個mos加了rds怎么考慮

關于碳化硅功率模塊建模

由于帶隙較大(2 MV/cm 對 0.5 MV/cm),SiC 中通過碰撞電離產生帶間電子空穴所需的....
發表于 2021-10-07 07:00? 163次閱讀
關于碳化硅功率模塊建模

三極管和MOSFET器件選型原則

近些年,伴隨著MOSFET的發展趨勢,在低輸出功率快速開關行業,MOSFET正逐漸取代三極管,領域主....
發表于 2021-09-29 18:03? 80次閱讀
三極管和MOSFET器件選型原則

把100Ω的電阻放在MOSFET柵極前的作用

故事開始 年輕的應用工程師 Neubean 想通過實驗證明,為了獲得穩定性,是不是真的必須把一個 1....
發表于 2021-09-29 10:22? 426次閱讀
把100Ω的電阻放在MOSFET柵極前的作用

東芝支持功能安全的車載無刷電機預驅IC的樣品出貨...

東芝將在2022年1月提供最終樣品,并將在2022年12月開始量產。
發表于 2021-09-28 10:42? 572次閱讀
東芝支持功能安全的車載無刷電機預驅IC的樣品出貨...

雙脈沖測試基礎系列:基本原理和應用

雙脈沖測試就是給被測器件兩個脈沖作為驅動控制信號,如圖1所示。第一個脈沖相對較寬,以獲得一定的電流。
發表于 2021-09-23 14:43? 3610次閱讀
雙脈沖測試基礎系列:基本原理和應用

英飛凌賦能Flex Power Modules全...

Flex Power Modules推出BMR310——一款非隔離式開關電容中間總線轉換器(IBC)....
發表于 2021-09-17 14:27? 1312次閱讀
英飛凌賦能Flex Power Modules全...

深入解讀?國產高壓SiC MOSFET及競品分析

電子發燒友網報道(文/李誠)工業4.0時代及電動汽車快速的普及,工業電源、高壓充電器對功率器件開關損....
發表于 2021-09-16 11:05? 580次閱讀
深入解讀?國產高壓SiC MOSFET及競品分析

國產高壓SiC MOSFET介紹及競品分析

工業4.0時代及電動汽車快速的普及,工業電源、高壓充電器對功率器件開關損耗、功率密度等性能也隨之提高....
發表于 2021-09-15 09:34? 3031次閱讀
國產高壓SiC MOSFET介紹及競品分析

【技術大咖測試筆記系列】之六:曲線追蹤儀與I-V...

曲線追蹤儀是一種基礎電子測試設備,通過分析半導體器件(如二極管、晶體管、晶閘管等)的特點,用來執行I....
發表于 2021-09-14 10:51? 691次閱讀
【技術大咖測試筆記系列】之六:曲線追蹤儀與I-V...

峰岹科技:獲2021年度廣東省工程技術研發中心認...

廣東省科學技術廳發布廣東省科學技術廳關于認定2021年度廣東省工程技術研究中心的通知,峰岹科技被認定....
發表于 2021-09-10 10:53? 2910次閱讀
峰岹科技:獲2021年度廣東省工程技術研發中心認...

英飛凌和松下攜手加速650V GaN功率器件的G...

 對于許多設計來說,氮化鎵(GaN)比硅具有根本的優勢。與硅MOSFET相比,氮化鎵HEMT具有出色....
發表于 2021-09-08 18:03? 537次閱讀
英飛凌和松下攜手加速650V GaN功率器件的G...

思睿達CR6889B方案能否替換XX11?測試數...

我們將為大家帶來思睿達主推的CR6889B替換XX11對比 測試 報告。話不多說,我們先了解下思睿達....
發表于 2021-09-08 16:18? 2805次閱讀
思睿達CR6889B方案能否替換XX11?測試數...

思睿達主推EMI特性良好的CR6889B與XX8...

SOT23-6 封裝的副邊PWM 反激功率開關; ● 內置軟啟動,減小MOSFET 的應力,斜....
發表于 2021-09-08 15:47? 4314次閱讀
思睿達主推EMI特性良好的CR6889B與XX8...

仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯均流特...

SiC MOSFET并聯的動態均流與IGBT類似,只是SiC MOSFET開關速度更快,對一些并聯參....
發表于 2021-09-06 11:06? 1388次閱讀
仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯均流特...

恒壓恒流輸出的電源適配器樣機測試 思睿達TT55...

01、樣機介紹 該 測試 報告是基于一個能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率12W,恒壓恒流輸出的電源 ....
發表于 2021-08-24 16:57? 4225次閱讀
恒壓恒流輸出的電源適配器樣機測試 思睿達TT55...

Maxim發布3相MOSFET柵極驅動器,可最大...

全集成的TMC6140-LA有效簡化高性能無刷直流電機驅動系統設計,效率提升30%。
發表于 2021-08-17 16:22? 358次閱讀
Maxim發布3相MOSFET柵極驅動器,可最大...

東芝推出了一款以小型貼片式MOSFET為主導的產...

MOSFET是電路中最基本的元器件,其憑借著開關速度快、導通電壓低、電壓驅動簡單等特點,被廣泛應用在....
發表于 2021-08-16 18:25? 3008次閱讀
東芝推出了一款以小型貼片式MOSFET為主導的產...

MOSFET低閾值管子的優勢

接下來討論低閾值管子的優勢。那么,MOSFET的導通閾值低,它的好處就說對信號的幅值要求就小了。假設....
發表于 2021-08-13 17:09? 696次閱讀
MOSFET低閾值管子的優勢

油罐車尾的鐵鏈消失不見,如何量化材料的電阻率?

體積電阻率測量一般采用下圖1所示的測試夾具完成,將電壓源V-Source施加到上電極,測試流經測試樣....
發表于 2021-08-13 11:37? 1054次閱讀
油罐車尾的鐵鏈消失不見,如何量化材料的電阻率?

2021年7月份芯片市場行情如何

在電子元件市場中,芯片一路水漲船高的價格一直牢牢抓住著電子人的心。從“哇塞這價格高到離譜,還是我認識....
發表于 2021-08-11 10:55? 4426次閱讀
2021年7月份芯片市場行情如何

【技術大咖測試筆記系列】之二:吉時利和Initi...

數據傳送功能讓用戶能夠遠程監測流程,不再局限于實驗室現場辦公。在監測長時間運行的測試時,比如環境測試....
發表于 2021-08-11 10:36? 567次閱讀
【技術大咖測試筆記系列】之二:吉時利和Initi...

探究羅姆非隔離型柵極驅動器以及超級結MOSFET...

ROHM不僅提供電機驅動器IC,還提供適用于電機驅動的非隔離型柵極驅動器,以及分立功率器件IGBT和....
發表于 2021-08-09 14:30? 595次閱讀
探究羅姆非隔離型柵極驅動器以及超級結MOSFET...

英飛凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUA...

英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN)....
發表于 2021-08-06 15:25? 315次閱讀
英飛凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUA...

【技術大咖測試筆記系列】之一:選擇手持式數字萬用...

臺式DMM通常用于自動測試,要求有接口,以使用電腦控制DMM并收發數據。自動測試通常要求快速測量速率....
發表于 2021-08-04 15:07? 988次閱讀
【技術大咖測試筆記系列】之一:選擇手持式數字萬用...

適用于熱插拔的Nexperia新款特定應用MOS...

新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值,并改善均流,從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統....
發表于 2021-08-04 09:36? 266次閱讀
適用于熱插拔的Nexperia新款特定應用MOS...

關于MOSFET的開關特性你們了解多少

MOSFET的開關特性解析|必看 MOS管最顯著的特點也是具有放大能力。不過它是通過柵極電壓uGS控....
發表于 2021-07-23 09:44? 893次閱讀
關于MOSFET的開關特性你們了解多少

打造電力電子創新教學新高地,泰克REPERS解決...

基于REPERS平臺的電力電子實驗室,將成為河南工業大學機電工程實驗室使用頻率最高的實驗室。
發表于 2021-07-16 17:03? 202次閱讀
打造電力電子創新教學新高地,泰克REPERS解決...

Nexperia獲得Newport Wafer ...

這家威爾士半導體工廠將繼續專注于MOSFET、IGBT、Analog、化合物半導體等車規級產品的生產
發表于 2021-07-06 09:07? 226次閱讀
Nexperia獲得Newport Wafer ...

用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器

電池供電的便攜設備越來越多,在今日生活中扮演的角色也越來越重要。這個趨勢還取決于高能量儲存技術的發展....
發表于 2021-07-04 11:23? 1337次閱讀
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
人体艺术图片